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논문KCI 등재

제조 조건에 따른 질화탄소막의 습도 감지 특성

Humidity sensing properties of carbon nitride film according tofabrication conditions

김정훈|이효웅|이성필|이지공
한국센서학회|2005.09|센서학회지 (Journal of Sensor Science and Technology)|제14권 제5호|pp. 343-349

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Abstract

Carbon nitride films were deposited on various substrates for humidity sensors with meshed electrode by reactive RF magnetron sputtering system. As the ratio of injected nitrogen was decreased, the sensitivity of sensor was increased. When the ratio of injected nitrogen was 50~70%, the sample showed the best linearity. The sensor impedance changed from 95.4k to 2.1k in a relative humidity range of 5% to 95%. The humidity sensors based on silicon wafer revealed higher lineality and faster response than those of alumina or quartz substrates. The adsorption saturation time of the sample was about 80sec, and its desorption time was about 90sec.

참고문헌 (11)

  1. "Prediction of new low compressibility solids", 245, pp.841~842 (1989)
  2. "Structural and micro-mechanical studies of CNx films deposited on silicon substrates in a remote nitrogen plasma", 116-119, pp.59~64 (1999)
  3. "On the validity of the formation of crystalline carbon nitrides", 8, pp.1175~1182 (1999)
  4. "Inventory on innovative research The case of C3N4", 1, pp.161~162 (1997)
  5. "A review of the preparation of carbon nitride films", 8
  6. "Role of nitrogen in the formation of hard and elastic CNx thin films by reactive magnetron sputtering", 59, pp.5162~5169 (1999)
  7. "Nano-structured carbon nitride film for humidity sensor applications", 45, pp.619~22 (2004)
  8. "Humidity sensing properties of CNx film by RF magnetron sputtering system", 108, pp.450~454 (2005)
  9. "Characterization of crystalline carbon nitride films deposited on Si and Si3N4", Si substrate by RF magnetron sputtering system with DC bias, 2004., pp.13, 321~326
  10. "페닝 소스 스퍼터링 장치를 이용한 결정성 질화탄소막의 성장 및 물리적 특성", 9(3), pp.96~103 (2000)
  11. "Performance of differential field effect transistors with porous gate metal for humidity sensors", 8(6), pp.434~439 (1999)

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