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논문KCI 등재

동시증착법으로 형성한 Bi-Te 박막의 열전특성

Thermoelectric Properties of Bi-Te Thin Films Processed by Coevaporation

김민영|오태성|최영남
한국마이크로전자및패키징학회 (The Microelectronics And Packaging Society)|2010.12|마이크로전자 및 패키징학회지 (Jornal of the Microelectronics and Packaging Society)|제17권 제4호|pp. 89-94

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thin filmspower factorthermoelectricsBi2Te3coevaporation
주제분류재료공학

초록

Bi 증착원과 Te 증착원의 몰비를 변화시키며 동시증착법으로 Bi-Te 박막을 형성 후, Bi 증착원과 Te 증착원의몰비에 따른 Bi-Te 박막의 열전특성을 분석하였다. 동시증착법으로 형성한 Bi-Te 박막은 n형 반도체로서, -60~-80 μV/K의Seebeck 계수를 나타내었다. Bi 증착원의 양이 30 mol%인 조건으로 동시증착하여 Te 과잉 조성인 박막은 5×10-4 W/m-K2의 출력인자를 나타내었으며, Bi 증착원의 양이 90 mol%인 조건으로 동시증착하여 Bi 과잉 조성인 박막은 17.7×10-4W/m-K2의 출력인자를 나타내었다.

Abstract

Bi-Te films were processed by coevaporation of Bi and Te dual sources with variations of the mole ratio of the Bi and Te evaporation sources, and thermoelectric properties of the coevaporated Bi-Te films were characterized. The coevaporated Bi-Te films were n-type semiconductors and exhibited Seebeck coefficients of -60~-80 μV/K. The Terich Bi-Te film, processed with Bi and Te dual sources of 30 mol% Bi : 70 mol% Te ratio, exhibited a power factor of 5×10-4W/m-K2. On the other hand, a power factor of 17.7×10-4W/m-K2 was obtained for the Bi-rich film coevaporated using Bi and Te dual sources of 90 mol% Bi : 10 mol% Te ratio,

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