전자빔 증착시 이온빔 보조증착 장비의 사용에 따른 SiO2 & TiO2 박막의 광학적 특성
Optical properties of SiO2 and TiO2 thin films deposited by electron beam process with and withoution-beam source
1
조회
0
다운로드
0
인용
0
참고문헌
초록
다층간섭필터 제작을 위한 SiO2 & TiO2 박막을 electron-beam을 이용하여 제작하였다. 이온빔 보조증착 장비를 이용한 경우, 아르곤 가스와 산소 가스의 비율에 따라 양극전류를 변화시키며 증착하였고, 전자빔만을 사용한 경우에는 100~250oC까지 50oC 간격으로 온도를 조정하여 증착하였다. SiO2 박막의 경우 표면거칠기는 200oC와 양극전류 0.2 A에서 가장 낮은 값을 보였으며, 굴절률은 이온빔 보조 장치를 사용한 박막이 전자빔만을 사용하여 증착한 박막보다 전체적으로 0.1 정도 낮았다. TiO2의 경우 표면거칠기는 상온과 양극전류 0.2 A에서 가장 낮으며, 굴절률은 이온빔 보조 증착장치를 사용한 박막이 전자빔만으로 증착한 경우보다 전체적으로 낮은 값을 나타내었다.
Abstract
The SiO2 and TiO2 thin films for the multilayer interference filter application were manufactured by electron beam process. In case of electron beam process with ion source, the anode current was controlled by gas volume ratio of O2 and Ar. Substrate temperature of electron beam deposition without ion source was increased from 100 to 250oC with 50oC increment. The surface roughness values of SiO2 thin films was most low value at 200 oC substrate temperature and 0.2 A anode current respectively. And the surface roughness values of TiO2 thin films was most low value at room temperature and 0.2 A anode current repectively. The refractive index of SiO2 and TiO2 thin films to be deposited with ion source was usually lower than that of thin films without ion source.
참고문헌 (5)
- "“Microstructure of vapor-deposited optical coatings”", pp.3806~ (1984)
- "“Optical properties of ion assisted deposited zirconia thin films”", pp.3451~ (1992)
- "Optical properties and mechanical stress in SiO2", Nb2O5 multilayer, 2001, pp.389, 278~
- "Thin film optics (Dasung, 2001)", pp.151~272 (2001)
- "Thin film and their applications in optoelectronics", pp.150~ (1993)