전자빔 표면 조사에 따른 SnO2/Ag/SnO2 박막의 특성 연구
The Effect of electron beam surface irradiation on the properties of SnO2/Ag/SnO2 thin films
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초록
SnO2 30/Ag 15/SnO2 30 nm(SAS) tri-layer films were deposited on the glass substrates with RF and DC magnetron sputtering and then electron beam is irradiated on the surface to investigate the effect of electron bombardment on the opto-electrical performance of the films. electron beam irradiated tri-layer films at 1000 eV show a higher figure of merit of 2.72×10-3 Ω-1 than the as deposited films due to a high visible light transmittance of 72.1% and a low sheet resistance of 14.0 Ω/□, respectively.
Abstract
SnO2 30/Ag 15/SnO2 30 nm(SAS) tri-layer films were deposited on the glass substrates with RF and DC magnetron sputtering and then electron beam is irradiated on the surface to investigate the effect of electron bombardment on the opto-electrical performance of the films. electron beam irradiated tri-layer films at 1000 eV show a higher figure of merit of 2.72×10-3 Ω-1 than the as deposited films due to a high visible light transmittance of 72.1% and a low sheet resistance of 14.0 Ω/□, respectively.
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