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TMS를 이용한 SiC 나노박막의 성장연구
Study on Growth of Nanocrystalline SiC Films Using TMS
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주제분류기계공학
초록
Abstract
Chemical vapor deposition technique has been used to grow epitaxial SiC thin films on Si wafers using tetramethylsilane(TMS) precursor. The films were observed to grow along (110) direction of 3C-SiC at 800oC. The quality of the films was significantly influenced by the TMS flow rate and growth temperature. Nanocrystal SiC films were grown at flow rates of TMS 10sccm with H2 carrier gas of 100sccm. The temperature and gas pressure in the reactor have a great influence on the crystallinity and morphology of the SiC film grown. The growth mechanism of the SiC film on the Si substrate without the carbonization process was discussed based on the experimental results.
참고문헌 (1)
- "Analysis of Silicones Wiley" (1974)
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