2단계 스퍼터링으로 형성시킨 강유전 박막의누설전류 개선
Improvement of leakage current in ferroelectric thin films formed by 2-step sputtering
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초록
2단계 스퍼터링으로 강유전 PZT 박막을 형성시켜 유전특성과 전도기구를 조사하였다. 또한 PZT 박막 내의 carrier를 보상해주기위해 도너 불순물을 도핑하였다. 2단계 스퍼터링으로 상온층 두께를 조절하여 누설전류를 10-7A/㎠ order까지 줄일 수 있었다. 전도기구가 bulk-limited의 하나임을 확인하였고 따라서 적정한 도너 불순물을 채택하였다. 도너 불순물을 도핑한 경우 2단계 스퍼터링한 PZT 박막의 누설전류 특성은 10-8A/㎠ order까지 개선되었다.
Abstract
Ferroelectric PZT thin films were formed by 2-step sputtering and their dielectric properties and conduction mechanisms were investigated. Also, donor impurity doping was tried to compensate the carriers in PZT thin films. The leakage current density was able to reduce to 10A/cm order by 2-step sputtering with thickness control of room temp.-layer. The conduction mechanism was confirmed as bulk-limited, and optimum donor impurities on PZT thin film were taken. Especially, leakage current characteristics was improved to 10A/cm order in donor-doped PZT thin films formed by 2-step sputtering.
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