Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용Interconnection 공정
Interconnection Processes Using Cu Viasfor MEMS Sensor Packages
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초록
Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 연구하였다. Ag 페 이스트 막을 유리기판에 형성하고 관통 비아 홀이 형성된 Si 기판을 접착시켜 Ag 페이스트 막을 Cu 비 아 형성용 전기도금 씨앗층으로 사용하였다. Ag 전기도금 씨앗층에 직류전류 모드로 20mA/cm2와 30mA/cm2의 전류밀도를 인가하여 Cu 비아 filling을 함으로써 직경 200 μm, 깊이 350 μm인 도금결함이 없는 Cu 비아를 형성하는 것이 가능하였다. Cu 비아가 형성된 Si 기판에 Ti/Cu/Ti metallization 및 배선 라인 형성공정, Au 패드 도금공정, Sn 솔더범프 전기도금 및 리플로우 공정을 순차적으로 진행함으로써 Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 이룰 수 있었다.
Abstract
We investigated interconnection processes using Cu vias for MEMS sensor packages. Ag paste layer was formed on a glass substrate and used as a seed layer for electrodeposition of Cu vias after bonding a Si substrate with through-via holes. With applying electrodeposition current densities of 20mA/cmand 30mA/cm at direct current mode to the Ag paste seed-layer, Cu vias of 200m diameter and 350m depth were formed successfully without electrodeposition defects. Interconnection processes for MEMS sensor packages could be accomplished with Ti/Cu/Ti line formation, Au pad electrodeposition, Sn solder electrodeposition and reflow process on the Si substrate where Cu vias were formed by Cu electrodeposition into through-via holes.
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