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논문KCI 등재

상온에서 연속 조성 확산법에 의해 증착된 Ta2O5-SiO2 유전특성

Dielectric Properties of Ta2O5-SiO2 Thin Films Deposited at Room Temperature by Continuous Composition Spread

윤석진|최지원|박경봉|송종한|김윤회|정근
한국마이크로전자및패키징학회 (The Microelectronics And Packaging Society)|2010.06|마이크로전자 및 패키징학회지 (Jornal of the Microelectronics and Packaging Society)|제17권 제2호|pp. 35-40

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키워드

DielectricHigh-KContinuous Composition Spread(CCS)Low processing temperature
주제분류재료공학

초록

CCS방법이 적용된 off-axis RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 증착된 Ta2O5-SiO2의 유전체 박막에 관하여 연구를 하였다. 1500 μm 의 간격으로 비유전율 및 유전손실을 측정하여 Ta2O5-SiO2에 조성의 변화에 따른 유전특성의 변화를 나타내었다. 1 MHz 에서 높은 유전상수(k ~19.5) 와 낮은 유전손실(tanδ <0.05)을 보이는 영역들을 찾았는데, 이는증착된 기판(75×25 mm2 sized Pt/Ti/SiO2/Si(100))에서 SiO2 타겟 영역으로부터 각각 16 mm, 22 mm 떨어진 영역에서 찾을 수 있었다.

Abstract

The variations of dielectric properties of Ta2O5-SiO2 continuous composition spread thin films prepared by off-axis radio-frequency magnetron sputtering were investigated. The dielectric maps of dielectric constant and loss were plotted via 1500 micron-step measuring. The specific points showing superior dielectric properties of high dielectric constant (k ~19.5) and loss (tanδ < 0.05) at 1 MHz were found in area of the distance of 16 mm and 22 mm apart from SiO2 side in 75×25 mm2 sized Pt/Ti/SiO2/Si(100) substrates.

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