어닐링 처리시킨 SnO2 가스센서의 박막성장특성
Growth Characteristics of SnO2 Thin Film for Gas Sensor with Annealing Treatment
2
조회
0
다운로드
1
인용
0
참고문헌
초록
금속산화물 가스센서의 전기전도도와 가스 감응도는 결정립간 계면특성에 의해 제어된다. 그러나 박막의 경우 박막의 텍스처와 같은 미세구조 뿐만 아니라, 박막의 두께와 결정구조가 다결정 박막 재료의 전기적 특성의 제어에 중요한 인자로 고려되고 있다. 본 연구에서는 RF magnetron sputter를 사용하여 SnO2 박막을 제작하였으며, 박막의 두께와 어닐링처리로 박막내 결정립의 크기를 조절하였고, 어닐링처리에 따른 SnO2 박막의 결정립의 크기와 박막의 전기적 특성과의 관계를 조사·연구하였다.
Abstract
Relationships between the electrical resistivity and the growth characteristic of SnO2 thin films were investigated. SnO2 thin films with thickness from 64 nm to 91 nm were made by controlling the RF deposition energy from 80 to 150 W. These SnO2 thin films were annealed at 200℃~700℃ temperature range of 100℃ interval in the O2 gas condition. After annealing treatments, the microstructures of the SnO2 thin films were changed mixed structure(amorphous & crystalline) to lamina columnar crystalline structure. Both the film thickness and the grain size were increased with increasing the local crystallization of SnO2 microstructure of thin films by annealing treatment. Their electrical resistivity increased up to the annealing temperature of 400℃, and then slowly decreased.
참고문헌 (4)
- "Electroanalyt. Methods in Chem. and Environment Analys." (1987)
- "Fundamentals and Applications of Chemical Sensors" (1989)
- "Chemical Sensing with Solid State Devices" (1989), ACADEMIC PRESS INC.
- "Appl. Phys.", 1324 (1990)