2인치 n-InP 결정의 광학적 등방성 특성 분석
Optical isotropic properties of 2 inch n-InP single crystals
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참고문헌
초록
본 연구에서는 수직 브리지먼(Vertical Bridgman) 방법으로 성장시킨 n형 InP 단결정 기판의 광학적 등방성을 조 사하였다. 1,060 nm 파장의 원편광의 빛을 기판 표면에 입사시키고, 통과한 빛의 편광 상태를 분석하여 복굴절 (birefringence)에 의해 유도되는 편광 변화를 측정하였으며, 편광 변화는 기판의 에치 피트 밀도(etch pit density)와 어느 정 도의 상관관계를 보였다. 또한, 광소자 제작에 많이 사용되는 InP 기판의 중요한 성질 중 하나인 기판의 광학적 균일성을 조사하기 위하여 기판 상의 빛의 입사 위치에 따른 광학적 균일성을 분석하였다. 본 연구에서 제시한 광학적 분석법은 결 정학적 대칭성을 갖는 다른 종류의 단결정 기판의 광학적 균일성 측정에 응용될 수 있으며 전위밀도의 간접적인 측정에 응용될 수 있을 것이다.
Abstract
We investigated optical anisotropy and homogeneity of a n-doped InP single crystal wafer grown by Vertical Bridgeman method. As circularly polarized light at 1,060 nm wavelength was incident to the wafer surface, output light polarization was analyzed to see optical birefringence-induced change in polarization. We also scanned the position on the wafer to which light was incident to see position-dependent optical anisotropy of the wafer, i.e, inhomogeneity. The change of polarization was seen to be correlated to some extent with etch pit density of the wafer. The polarization-based optical analysis can also be applied to other kinds of single crystal wafers which have crystallographic symmetries for the shake of straightforward examination of crystal defects such as dislocations as a function of wafer position and homogeneity of optical anisotropy.