AlN/SiC 쇼트키 배리어 다이오드에서 Post-anode Annealing 처리에 따른 금속별 특성 변화 분석
Investigation of Post-anode Annealing Effects on AlN/SiC Schottky Barrier Diode with Different Metals
1
조회
0
다운로드
0
인용
0
참고문헌
키워드
초록
본 논문에서는 Ni 및 Pt 애노드를 사용한 AlN/4H-SiC 쇼트키 배리어 다이오드에 대해 200 ℃에서의 애노드 증착 후 어닐링(PAA) 효과를 조사하였다. PAA 처리 후, 누설 전류는 Ni SBD의 경우 1.11 × 10-7 A에서 2.04 × 10-9 A로, Pt SBD의 경우 7.54 × 10-8 A에서 4.70 × 10-10 A로 감소하였고, 이상계수 및 배리어 높이도 개선되었다. 이러한 성능 향상은 금속-반도체(MS) 계면트랩 밀도(Qit)의 현저한 감소에 기인하며, 이는 C-V hysteresis를 기반으로 계산되었다. 이러한 결과는 PAA가 MS 계면 개선을 위한 유망한 기술임을 보여준다
Abstract
We investigated the effects of post-anode annealing (PAA) at 200°C on AlN/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) with Ni and Pt anodes. After PAA, the leakage current decreased from 1.11 × 10-7 A to 2.04 × 10-9 A (Ni SBDs) and from 7.54 × 10-8 A to 4.70 × 10-10 A (Pt SBDs), with improved ideality factor and barrier height. This is attributed to a significant reduction in MS interface trap density (Qit), confirmed by C-V hysteresis. These results show that PAA is a promising method for MS interface engineering.