개선된 트리거 전압 및 홀딩 전압을 갖는 SCR 기반 ESD 보호소자에 관한 연구
A Study on SCR-Based ESD Protection Device with Improved Trigger Voltage and Holding Voltage
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초록
본 논문은 기존 ESD 보호소자와 비교하여 더 나은 트리거 전압 및 홀딩 전압을 가지는 ESD 보호소자를 제안한다. 제안하는 구조는 SCR 기반 보호소자이며 추가적인 P-웰 등과 같은 구성요소들을 추가하고, GGNMOS 구조를 내장하였다. 그 결과 제안된 ESD 보호소자는 기존 구조와 비교하여 개선된 전기적 특성을 보유하였다. 따라서 본 보호회로는 3.3V 어플리케이션에 활용 가능함을 보여준다
Abstract
This paper proposes an ESD protection device with improved trigger and holding voltages compared to conventional ESD protection structures. The proposed structure is based on an SCR device, incorporating additional components such as a P-well and an embedded GGNMOS structure. As a result, the proposed ESD protection device demonstrates enhanced electrical characteristics over existing designs. Therefore, it is expected that the device will exhibit sufficient latch-up immunity for 3.3V applications