표면에칭효과에 의한 산화알루미늄 유전체의 정전용량 특성
Dielectric Characteristics of Alumina by Surface Etching Effects
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초록
알루미늄 유전체의 표면적 증가에 의한 정전용량 값을 증가시키기 위하여, 1M의 염산 에칭용액에 첨가제를 사용했을 때 나타나는 알루미늄 표면의 에칭특성의 변화를 조사하였다. 에칭액으로서 염산을 사용한 경우 알루미늄 표면에서 생성되는 에치피트의 형상과 단위 면적당 생성밀도가 균일하지 못하였다. 염산용액에 에틸렌글리콜이 첨가된 혼합용액에서 에칭을 실시 했을 경우, 알루미늄 기지 표면에 미세하고 균일한 에치피트가 형성되어 표면적 증가의 효과가 크게 나타났다. 에틸렌글리콜이 첨가된 에칭액에서 제조된 유전체는 표면적 증가에 의한 효과로 높은 정전용량 값을 나타냈다.
Abstract
The structural, electrical properties of the electrolytic capacitors were examined. By the addition of additives to hydrochloric acid solution increased the dielectric aluminum surface layer. For etch tunnels formed in hydrochloric acid, the array and density of the tunnels was not uniform, while for those formed in hydrochloric acid with additives the distribution presented relative uniformity. When the etched surface formed in hydrochloric acid with 5% ethylene glycol, the enlargement of specific surface area was more effective.
참고문헌 (10)
- "Growth rate of aluminum etch tunnels", 135, pp.2451~ (1988)
- "Initial stages of the anodic etching of aluminum foils studied by atomic force microscopy", 41, pp.35~ (1999)
- "Thickness-dependent properties of amorphous anodic alumina films", 134, pp.1891~ (1987)
- "Formation and breakdown of anodic oxide films on aluminum in boric acid", borate solutions, 1997, pp.144, 875~
- "A method for estimating size distribution of etch tunnels in DC-etched Al foil", 128, pp.82~ (1981)
- "Effect of sulphate anions on tunnel etching of aluminum", 25, pp.507~ (1995)
- "The function of the repassivation process in the inhibition of pitting corrosion on aluminium", 20, pp.631~ (1980)
- "Faradaic impedances as connections of impedance elements", 148, pp.105~ (1986)
- "Impedanz von Deckschichten mit Leitfaehigkeitssgradient", 2, pp.341~ (1995)
- "Tunnel morphology in anodic etching of aluminum", 144, pp.1970~ (1997)