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논문KCI 등재

황산 용액에서 Al 산화피막의 생성과정 연구

Investigation of the Growth Kinetics of Al Oxide Film in Sulfuric Acid Solution

김연규|천정균
대한화학회|2010.08|대한화학회지 (Journal of the Korean Chemical Society)|제54권 제4호|pp. 380-386

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Al2O3Passive filmAluminum oxideOxide filmMott-Schottky부동화 막Al(OH)3산화 막n-형 반도체n-Type semiconductor
주제분류화학

초록

황산 용액에서 양극산화(anodization)에 의하여 생성되는 산화피막의 생성과정(growth kinetics)과 이 피막의 전기적 성질을 전기화학적 임피던스 측정법(electrochemical impedance spectroscopy)으로 조사하였다. 산화피막은 Al2O3로 점-결함 모형(point defect model)에 따라 성장하였으며, n-형 반도체의 전기적 성질을 보였다.

Abstract

We have investigated the growth kinetics of Al oxide film by anodization in sulfuric acid solution and the electronic properties of this film using electrochemical impedance spectroscopy. Al oxide film consisted Al2O3 was grown based on the point defect model and shown the eclctronic properties of n-type semiconductor.

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