수소 가스 분율 (H2/H2+SiH4)에 따른 비정질 실리콘 박막의 표면 및 구조 분석
Surface and Structural Features of a-Si Thin Films Prepared by Various H2/H2+SiH4 Dilution
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초록
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 를 이용하여 비정질 실리콘 박막을 증착하였으며, 이때 플라즈마 생성을 위한 수소의 유량을 조절하여 각각의 박막을 제조하였다. 실험결과 수소의 유량이 증가함에 따라 비정질 실리콘 박막 내 존재하는 나노 결정 실리콘의 크기 및 분율이 증가하였으며, 이에 따른 광학적 밴드갭은 감소하였다. 수소 유량증가, 즉 플라즈마의 밀도의 증가는 표면 거칠기에도 영향을 주어 수소 유랑이 증가함에 따른 박막의 두께 및 거칠기의 변화등 표면 및 구조의 변화를 관찰하였다.
Abstract
Amorphous silicon thin film was deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) . Each films were prepared in different dilution in the chamber gas. As a result, silicon crystallites and crystal volume fraction was increased with raising the hydrogen dilution in the gas and optical band gap was decreased. Increasement of the hydrogen contents in the chamber affected on surface roughness. In this study, thickness and surface roughness of the a-Si thin film by different hydrogen dilution was investigated by various techniques.
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