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논문KCI 등재

밀리미터파 응용을 위한 우수한 성능의 50 nm Metamorphic HEMTs

High Performance 50 nm Metamorphic HEMTs for Millimeter-Wave Applications

김성찬|류근관
한국전기전자학회 (Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers)|2012.06|전기전자학회논문지 (Journal of IKEEE)|제16권 제2호|pp. 116-120|DOI http://dx.doi.org/10.7471/ikeee.2012.16.2.116

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millimeter-waveMetamorphic HEMT50 nmcurrent gain cut-off frequency
주제분류전자/정보통신공학

초록

본 논문에서는 밀리미터파 응용에 사용 가능한 우수한 성능의 50 nm InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT를 구현하였다. 게이트 길이가 50 nm이며 단위 게이트 폭이 30 ㎛인 2개의 게이트를 가지고 있는 MHEMT의 측정결과, 740 mA/mm의 드레인 포화 전류밀도와 1.02 S/mm의 상호전달 전도도를 얻었으며 전류이득차단주파수와 최대공진주파수는 각각 430 GHz와 406 GHz의 특성을 나타내었다.

Abstract

We reported on a high performance InGaAs/InAlAs metamorphic HEMT with 50 nm gate length on a GaAs substrate. The fabricated 50 nm × 60 ㎛ MHEMT showed good DC and RF characteristics. Typical drain current density of 740 mA/mm and extrinsic transconductance(gm) of 1.02 S/mm were obtained with our devices. The current gain cut-off frequency(fT) and maximum oscillation frequency(fmax) obtained for the fabricated MHEMT device were 430 GHz and 406 GHz, respectively.)

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