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RF 스퍼터링 법에 의한 사피이어 기판상의 ZnO 박막의 성장
ZnO film growth on sapphire substrate by RF magnetron sputtering
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주제분류재료공학
초록
ZnO 에피박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF magnetron sputtering 법으로 성장하였다. 박막의 성장속도 는 약 0.1~0.2 mm/hr 였으며, 기판온도가 600oC일 때, 약 400~500 nm 두께의 단결정상의 박막을 성장할 수 있었다. 성장된 단결정상 박막에 대하여 XRD분석과 TEM을 이용하여 박막의 품질과 미세구조를 평가하였다.
Abstract
ZnO epitaxial films have been grown on a (0001)sapphire substrate by RF magnetron sputtering. The single crystalline ZnO films were grown at the condition of growth rate of about 0.1~0.2 mm/hr and the substrate temperature of 600oC. The film thickness was about 400~500 nm. The thin film quality and micro-structure have been evaluated by XRD and TEM observation.
참고문헌 (7)
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