트렌치 산화갈륨 JBS 다이오드의 전기적 특성 분석
Electrical Characterization of Trench β-Ga2O3 JBS Diodes
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초록
본 연구에서는 p형 산화니켈을 활용한 산화갈륨 기반 정션 배리어 쇼트키 다이오드의 구조 최적화를 위해 TCAD 시뮬레이션을수행하였다. 산화니켈 섬의 전체 너비는 일정하게 유지하면서 섬의 개수를 2개에서 5개까지 변화시켰고, 그에 따른 항복 전압(BV)과 특정 온저항(Ron,sp)의 변화를 분석하였다. 섬 개수의 변화는 전기적 특성에 큰 영향을 주지 않았으나, 동일 조건의 트렌치 구조를적용했을 때 BV는 약 50 V 증가하고 Ron,sp는 감소하여 PFOM (The Power figure of Merit)이 약 2배 향상되었다.
Abstract
resistivIn this study, TCAD simulations were performed to optimize the structure of Ga2O3-based junction barrierSchottky diodes incorporating p-type NiO. The number of NiO islands was varied from two to five while keepingthe total width constant. This variation showed little effect on the breakdown voltage (BV) and specific on-resistance(Ron,sp). However, introducing a trench structure under the same conditions led to a ~50 V increase in BV and areduction in Ron,sp, resulting in a twofold improvement in the power figure of merit (PFOM).e switching behaviors within the same MIM structure. The irreversible mode transition enables the device to