분자동역학을 이용한 박막의 열경계저항 예측 및 실험적 검증
Molecular Dynamics Simulation on the Thermal Boundary Resistance of a Thin-film and Experimental Validation
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초록
본 논문에서는 비평형 분자동역학 시뮬레이션 기법을 사용하여 알루미늄 박막과 실리콘 웨이퍼 간 열경계저항을 예측하였다. 실리콘의 끝 단 고온부에 열을 공급하고, 같은 양의 열을 알루미늄 끝 단 저온부에서 제거하여 경계면을 통한 열전달이 일어나도록 하였으며, 실리콘 내부와 알루미늄 내부의 선형 온도 변화를 계산함으로써 경계면에서의 온도 차이에 따른열저항 값을 구하였다. 300K 온도에서 5.13±0.17m2·K/GW의 결과를 얻었으며, 이는 열유속 조건의 변화와 무관함을 확인하였다. 아울러, 펨토초 레이저 기반의 시간영역 열반사율 기법을 사용하여 열경계저항 값을 실험적으로 구하였으며, 시뮬레이션 결과와 비교검증 하였다. 전자빔 증착기를 사용하여 90nm 두께의 알루미늄 박막을 실리콘(100) 웨이퍼 표면에 증착하였으며, 유한차분법을 이용한 수치해석을 통해 열전도 방정식의 해를 구해 실험결과와 곡선맞춤 함으로써 열경계저항을 정량적으로 평가하고 나노스케일에서의 열전달 현상에 관한 특징을 살펴보았다.
Abstract
Non-equilibrium molecular dynamics simulation on the thermal boundary resistance(TBR) of an aluminum(Al)/silicon(Si) interfacewas performed in the present study. The constant heat flux across the Si/Al interface was simulated by adding the kinetic energy inhot Si region and removing the same amount of the energy from the cold Al region. The TBR estimated from the sharp temperaturedrop at the interface was independent of heat flux and equal to 5.13±0.17 K·m2/GW at 300 K. The simulation result wasexperimentally confirmed by the time-domain thermoreflectance technique. A 90 nm thick Al film was deposited on a Si(100) waferusing an e-beam evaporator and the TBR on the film/substrate interface was measured using the time-domain thermoreflectancetechnique based on a femtosecond laser system. A numerical solution of the transient heat conduction equation was obtained usingthe finite difference method to estimate the TBR value. Experimental results were compared to the prediction and discussions on thenanoscale thermal transport phenomena were made.
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