완전집적형 무선통신 SoC 반도체 소자 개발을 위한 주기적인 3차원 결합구조를 가지는 코프레너 선로에 대한 대역폭 및 임피던스 특성연구
Study on Bandwidth and Characteristic Impedance of CWP3DCS (Coplanar Waveguide Employing Periodic 3D Coupling Structures) for the Development of a Radio Communication FISoC (Fully-integrated System on Chip) Semiconductor Device
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본 연구에서는 실리콘 기판 상에 제작된 3D 결합구조를 가지는 코프레너 선로인 CWP3DCS(coplanar waveguide employing periodic 3D coupling structures) 구조에 대한 특성임피던스와 대역폭특성을 연구하였으며 이를 통해 완전집적형 해양무선통신 반도체 SoC (System on Chip)를 구현하기 위한 수동소자의 개발가능성을 검토하였다. CWP3DCS에 대한 특성임피던스와 대역폭특성을 추출하기 위해서 삽입손실에 대한 측정값을 반영한 measurement-based equation을 유도하였으며, 이 방법의 유효성을 검증하기 위해 전송상수 β와 특성임피던스에 대한 측정값과 measurement-based equation으로부터 추출된 계산값을 비교하였다. 비교 결과에 의하면 특성임피던스와 전송상수 β에 대한 계산값과 측정값의 최대오차는 각각 3.9%와 6.4%의 값을 보여주었다. 본 논문의 연구결과에 의하면, CWP3DCS 구조는 주기적 구조의 길이 LT = 30 ∼ 150 μm의 범위에서 통과대역이 121 GHz인 광대역 특성을 보여주었으며, 특성임피던스 역시 주파수 의존성이 매우 적은 광대역 특성을 보여주었다. 그리고, 20 μm의 선로 폭으로도 20 Ω이하의 낮은 임피던스를 가지는 전송선로의 구현이 가능하였으며, 동일한 임피던스를 가지는 기존 전송선로의 선로 폭 3mm에 비해 선로 폭이 크게 감소하였다. 그리고, 주기적 구조의 길이 LT값을 조정함으로써 원하는 특성임피던스 값을 가지는 구조를 반도체 기판 상에 용이하게 구현할 수 있음을 알 수 있었다. 상기 결과로부터 CWP3DCS 구조는 완전집적형 무선통신 반도체 SoC용 정합 및 수동소자로써 유용하게 사용될 수 있음을 알 수 있었다. 본 논문은 3D 결합구조를 가지는 코프레너 선로인 CWP3DCS의 대역폭에 대한 최초의 연구이다.
Abstract
In this study, we investigated the characteristic impedance and bandwidth of CPW3DCS (coplanar waveguide employing periodic 3D coupling structures), and examined its potential for the development of a marine radio communication FISoC (fully-integrated system on chip) semiconductor device. To extract bandwidth and characteristic impedance of the CPW3DC, we induced a measurement-based equation reflecting measured insertion loss, and compared the measured results of the propagation constant β and characteristic impedance with the measured ones. According to the results of the comparison, the calculated results show a good agreement with the measured ones. Concretely, the propagation constant β and characteristic impedance exhibited an maximum error of 3.9% and 6.4%, respectively. According to the results of this study, in a range of LT = 30 ~ 150 μm for the length of periodic structures, the CPW3DC exhibited a passband characteristic of 121 GHz, and a very small dependency of characteristic impedance on frequency. We could realize a low impedance transmission line with a characteristic impedance lower than 20 Ω by using CPW3DCS with a line width of 20 μm, which was highly reduced, compared with a 3mm line width of conventional transmission line with the same impedance. The characteristic impedance was easily adjusted by changing LT. The above results indicate that the CPW3DC can be usefully used for the development of a wireless communication FISoC (fully-integrated system on chip) semiconductor device. This is the first report of a study on the bandwidth of the CPW3DC.
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