후열처리 온도에 따른 ZnGa2O4 형광체 박막의 발광 특성
Photoluminescence Characteristics of the ZnGa2O4 Phosphor Thin Films as a Function of Post-annealing Temperature
0
조회
0
다운로드
0
인용
0
참고문헌
초록
ZnGa2O4 박막 형광체는 기판 온도 550℃, 산소 분압 100mTorr에서 Si(100) 기판 위에 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착시켰고, 이렇게 증착되어진 박막을 600℃와 700℃에서 후 열처리하여 발광 특성을 조사하였다. X-선 회절 실험 결과, 후열처리 온도를 증가시킴에 따라서 Ga2O3 상이 나타남을 확인할 수 있었다. 발광 스펙트럼은 460nm에서 최고 피크값을 나타내었으며, 350에서 600nm까지 갖는 넓은 밴드의 발광 특성을 나타내었다. 후열처리에 따른 ZnGa2O4 박막은 다른 형태의 발광 강도와 grain 크기를 나타내었다.
Abstract
ZnGa2O4 thin film phosphors have been deposited using a pulsed laser deposition method on Si(100) substrates at a substrate temperature of 550℃ with oxygen pressures of 100mTorr, and subsequently to investigate their photoluminescence characteristics after post-annealed at 600℃ and 700℃. As a result for X-ray diffraction, Ga2O3 shape appeared with increasing annealing temperature. The luminescent spectra show a broad band extending from 350 to 600nm peaking at 460nm. A post-annealing treatment of ZnGa2O4 thin films led to the different shape of luminescent intensity and grain size.