레이저 주사법을 이용한 박막 물성 측정 및 잔류응력 예측
Measurement of Material Property of Thin Film and Prediction of Residual Stree using Laser Scanning Method
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참고문헌
초록
상부 칩과 하부 기판이 모두 Si으로 구성되어 있는 플립칩 패키지 시편을 제조하여 130~160oC의 온도 범위에서 3~4×104 A/cm2의 전류밀도를 가하여 주면서 플립칩 본딩된 Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 electromigration 거동을 분석하였다. Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 cathode로부터 anode로의 electromigration에 의해 Cu UBM이 완전히 소모되어 cathode 부위에서 void가 형성됨으로써 파괴가 발생하였다. Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 electromigration에 대한 활성화 에너지는 3×104 A/cm2의 전류밀도에서는 0.61 eV, 3.5×104 A/cm2의 전류밀도에서는 0.63 eV, 4×104 A/cm2의 전류밀도에서는 0.77 eV로 측정되었다.
Abstract
Polymeric materials are widely used in the electronic industry as a common dielectric material or adhesive. The polymeric layer coated on Si substrate can be subjected to thermal stresses due to difference in thermal expansion coefficients. The mismatch in thermal properties between the polymeric layer and the substrate results in significant residual stresses. In this study, the thermal deformation is measured by a curvature measurement method using laser scanning, and the elastic modulus is calculated by an analytic model.
참고문헌 (1)
- "KAIST Department of Mechanical Engineering" (2001)