동적인 전기장이 다마신 구리 배선에서의 절연파괴에 미치는 영향
Effect of Dynamic Electric Fields on Dielectric Reliability in Cu Damascene Interconnects
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초록
다마신 구리 배선에서의 동적인 전기장에 따른 절연체 파괴거동을 연구하였다. DC, 단극성, 및 이극성 펄스조건 중에서 절연체의 수명은 이극성 펄스 조건에서 가장 길었다. DC 및 단극성 펄스 조건에서는 절연체에 가해지는 전기장의 방향이 바뀌지 않지만 이극성 펄스 조건에서는 전기장의 방향이 반복적으로 180도 바뀌기 때문에, 이극성 펄스조건에서는 절연체의 구리오염이 억제되고, 이로 인해서 절연체 수명이 이극성 펄스 조건에서 가장 긴 것으로 판단된다. 단극성 펄스 조건에서 펄스 주파수가 커질수록 DC 조건보다 절연체의 수명이 증가하였다. 이는 절연체 수명에 구리오염뿐만 아니라 내재적인 절연파괴현상이 상당한 영향을 미치며, 절연체 분자결합파괴가 일어날 확률은 펄스 폭이 좁아질수록 감소한다고 판단된다.
Abstract
Effect of dynamic electric fields on dielectric breakdown behavior in Cu damascene interconnects wasinvestigated. Among the DC, unipolar, and bipolar pulse conditions, the longest dielectric lifetime is observed under thebipolar condition because backward Cu ion drift occurs when the direction of electric field is changed by 180 degreesand Cu contamination is prohibited as a results. Under the unipolar pulse condition, the dielectric lifetime increases aspulse frequency increases and it exceed the lifetime under DC condition. It suggests that the intrinsic breakdown ofdielectrics significantly affect the dielectric breakdown in addition to Cu contamination. As the unipolar pulse widthdecreases, dielectric bond breakdown is more difficult to occur.
참고문헌 (18)
- J. Gambino, "Copper Interconnect Technology for the 32 nm Node and Beyond", IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC), pp.141~148 (2009)
- J. W. McPherson, "Reliability Physics and Engineering", pp.63~176 (2010), Springer
- "Interconnects" (2012)[URL]
- 조남인, "다층배선을 위한 구리박막 형성기술", 마이크로전자 및 패키징학회지, 9(3), pp.1~6 (2002), 한국마이크로전자및패키징학회
- 심진용, "고전류밀도 구리도금에서 첨가제에 따른 전기화학적 특성변화 연구", 마이크로전자 및 패키징학회지, 18(2), pp.43~48 (2011), 한국마이크로전자및패키징학회
- F. Chen, "A Comprehensive Study of Low-k SiCOH TDDB Phenomena and ITs Reliability Lifetime Model Development", Proc. 44th Annual IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), pp.46~ (2006), IEEE
- H. Miyazaki, "The Observation of Stress-Induced Leakage Current of Damascene Interconnects after Bias Temperature Aging", Proc. 46th Annual IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), pp.150~ (2008), IEEE
- E. Chery, "Back-End Dielectrics Reliability under Unipolar and Bipolar AC-Stress", Proc. International Reliability Physics Symposium (IRPS), pp.3A.5.1~ (2012), IEEE
- S.-C. Lee, "Reliability of Porous Low-K Dielectrics under Dynamic Voltage Stressing", Proc. International Reliability Physics Symposium (IRPS), pp.3A.2.1~ (2012), IEEE
- T. K. S. Wong, "Time dependent dielectric breakdown in copper low-k interconnects: Mechanisms and reliability models", Mater, 5(9), pp.1602~ (2012)
- J. W. McPherson, "Underlying physics of the thermochemical e model in describing low-field timedependent dielectric breakdown in SiO2 thin films", J. Appl. Phys., 84(3), pp.1513~ (1998)
- S. S. Hwang, "Characteristics of leakage current in the dielectric layer due to Cu migration during bias temperature stress", J. Appl. Phys., 104, pp.044511~ (2008)
- H. Pham, "Handbook of Reliability Engineering", pp.3~ (2003), Springer
- I. Ciofi, "Water and Copper Contamination in SiOC:H Damascene: Novel Characterization Methodology based on Triangular Voltage Sweep Measurements", Proc. International Interconnect Technology Conference (IITC), pp.181~ (2006), IEEE
- S. Y. Jung, "Bias polarity and frequency effects of Cu-induced dielectric breakdown in damascene Cu interconnects", Microelectronic Engineering, 89(1), pp.58~61 (2012), Elsevier
- K. H. Lee, "The kinetics of the oxide charge trapping and breakdown in ultrathin silicon dioxide", J. Appl. Phys., 73(9), pp.4434~ (1993)
- J. W. McPherson, "Determination of the nature of molecular bonding in silica from time-dependent dielectric breakdown data", J. Appl. Phys., 95(12), pp.8101~ (2004)
- B. J. Schlund, "A new physics-based model for time-dependent dielectric breakdown", Microelectron. Reliab., 36(11), pp.1655~ (1996)
