비정질 실리콘의 고온 고상 결정화
Solid Phase Crystallization Kinetics of Amorphous Silicon at High Temperatures
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초록
비정질 실리콘의 고상 결정화는 열적으로 취약한 유리를 기판으로 사용하는 평판디스플레이 응용에 쓰이기 때문에 주로 600℃ 근처의 온도에서 수행한다. 본 연구에서는 실리콘 웨이퍼를 사용하여 600℃ 보다 높은 온도에서 고상 결정화 실험을 수행하였다. 실리콘의 고상 결정화 속도는 핵생성에 의해 좌우된다. 고상 결정화 시 핵생성에 필요한 열적 활성화 에너지가 매우 높은 값을 갖기 때문에 높은 온도 영역에서의 고상 결정화 속도는 현격하게 빨라진다. 본 논문에서는 고온에서의 고상 결정화 속도를 저온에서의 거동과 비교하고자 하였다.
Abstract
Solid phase crystallization (SPC) of amorphous silicon is usually conducted at around 600℃ since it is used in the application of flat panel display using thermally susceptible glass substrate. In this study we conducted SPC experiments at temperatures higher than 600℃ using silicon wafers. Crystallization rate becomes dramatically rapid at higher temperatures since SPC kinetics is controlled by nucleation with high value of activation energy. We report SPC kinetics of high temperatures compared to that of low temperatures.
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