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밴더블 a-Si:H 박막트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 채널 길이의 영향
Effect of Channel Length on Electrical Characteristics of a Bendable a-Si:H TFTs
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주제분류전자/정보통신공학
초록
본 연구에서는 8와 100 ㎛의 채널 길이를 가지는 밴더블 a-Si:H 박막 트랜지스터를 제작하고, 밴딩 스트레인에 따른 전기적 특성변화를 측정하였다. 1.69%의 밴딩 스트레인에서 8 ㎛ 채널 길이를 가지는 박막트랜지스터는 문턱전압이 5.25 V까지 이동하였으나 100 ㎛ 채널 길이를 가지는 박막트랜지스터는 전기적 특성 변화 없이 안정적으로 동작하였다.
Abstract
In this study, we investigate the influence of channel length of bendable a-Si:H thin film transistors (TFTs) on their electrical characteristics as a function of bending strain. Under a tensile strain of 1.69%, 8 ㎛-channel-length TFT has the threshold voltage shift up to 5.25 V, while 100 ㎛-channel-length TFT operates stably.
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