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BJT 베이스 분산저항의 1/f 잡음특성에 관한 연구
A Study on 1/f Noise Characteristics of the Base Spreading Resistance for BJT
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주제분류전자/정보통신공학
초록
BiCMOS 공정으로 제조된 바이폴라 트랜지스터의 베이스 분산저항 에서 발생되는 1/f 잡음을 실험 적으로 분석하였다. 공통컬렉터 잡음등가회로의 해석으로부터 값이 매우 작을 때는 출력측에서의 1/f 잡음은 순수하게 에서 발생되는 잡음임을 실험을 통해서 확인할 수 있었다. 에서 를 얻었다. 그리고 Hooge상수 값은 범위로 추출되었다.
Abstract
J noise component due to base spreading resistance of bipolar junction transistors fabricated by BiCMOS process is experimentally analyzed. The analysis of equivalent noise circuit for common collector shows that output 1/f noise value is purely generated from is closely to zero. From the , we fine that . And Hooge constant values are in the order, of 10.
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