3.3kV 항복 전압을 갖는 4H-SiC Curvature VDMOSFET 4H-SiC Curvature VDMOSFET with 3.3kV Breakdown Voltage
4H-SiC Curvature VDMOSFET with 3.3kV Breakdown Voltage
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초록
본 논문에서는 고전압, 고전류 동작을 위한 전력 MOSFET 소자에 대한 전기적 특성을 시뮬레이션을 통해 분석하였다. 소자의 정적 특성을 향상시키기 위해 기존의 Si대신 4H-SiC를 이용했다. 4H-SiC는 넓은 에너지 밴드 갭에 의한 높은 한계전계를 갖기 때문에 고전압, 고전류 동작에서 Si보다 유리한 특성을 갖는다. 4H-SiC를 사용한 기존 VDMOSFET 구조는p-base 영역 모서리에 전계가 집중되는 현상으로 인해 항복 전압이 제한된다. 따라서 본 논문에서는 p-base 영역의 모서리에 곡률을 주어 전계의 집중을 완화시켜 항복 전압을 높이고, 정적 특성을 개선한 곡률 VDMOSFET 구조를 제안하였다. TCAD 시뮬레이션을 통해 기존 VDMOSFET과 곡률 VDMOSFET의 정적 특성을 비교, 분석 하였다. 곡률 VDMOSFET은기존 구조에 비해 온저항의 증가 없이 68.6% 향상 된 항복 전압을 갖는다.
Abstract
In this paper, we analyzed the power MOSFET devices for high voltage and high current operation. 4H-SiC was usedinstead of Si to improve the static characteristics of the device. Since 4H-SiC has a high critical electric field due to wideband gap, 4H-SiC is more advantageous than Si in high voltage and high current operation. In the conventionalVDMOSFET structure using 4H-SiC, the breakdown voltage is limited due to the electric field crowding at the edge ofthe p-base region. Therefore, in this paper, we propose a Curvature VDMOSFET structure that improves the breakdownvoltage and the static characteristics by reducing the electric field crowding by giving curvature to the edge of thep-base region. The static characteristics of conventional VDMOSFET and curvature VDMOSFET are compared andanalyzed through TCAD simulation. The Curvature VDMOSFET has a breakdown voltage of 68.6% higher than that ofthe conventional structure without increasing on-resistance.
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