열처리에 따른 AlN 단결정의 결정성에 관한 연구
A study on the crystallinity of AlN single crystals by heat treatment
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초록
고주파 유도 가열 장치를 이용하여 승화법으로 성장된 AlN 단결정을 질소 분위기 하에서 1200 o C와 1500 o C에서열처리하였다. 열처리 후 단결정 시편들의 표면을 광학현미경으로 관찰하였으며, DCXRD(Double crystal X-ray Diffractometry) 를 이용하여 FWHM(Full width of half maximum) 값을 측정하여 결정성의 변화를 평가하였다.
Abstract
AlN single crystal was thermally treated at 1200oC and 1500oC in the ambient gas of nitrogen. AlN single crystal was obtained by sublimation growth process using by a facility having a growth part which was heated by RF (Radio Frequency) induction heating. In this report, the optical microscopic results taken from thermally treated AlN single crystal and FWHM (Full width of half maximum) measured by DCXRD (Double crystal X-ray Diffractometry) were reported.
참고문헌 (7)
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