화학기상증착법을 통한 고품질 단층 MoSe2합성 및 반데르발스 수직이종 접합 구조 기반 고성능 트랜지스터 제작
Chemical Vapor Deposition of High-Quality MoSe2 Monolayer and Its Application to van der Waals Heterostructure-Based High-Performance Field-Effect Transistors
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초록
반데르발스 물질이란 층간 결합이 약한 반데르발스 결합으로 이루어진 이차원 층상구조를지닌 물질을 의미하며, 이러한 반데르발스 이차원 소재를 이용한 이종접합 구조 연구는 그래핀이 발견된 이후 꾸준히 연구되고 있다. 본 논문에서는 대기압 화학기상증착법을 통해 성장된 단층 단결정MoSe2를 기반으로하는 반데르발스 이종접합 트랜지스터 소자에 대해 보고한다. 최적화된 공정조건에서 성장된 MoSe2는 원자수준의 결함이 존재하지 않는 것을 밝혔으며, 이를 이용한 트랜지스터 소자또한 우수한 특성을 보인다는 것을 밝혀내었다.
Abstract
A van der Waals material refers to a material having a two-dimensional layered structure composed of van der Waals bonds with weak interlayer bonding. The research based on heterojunction structures using such van der Waals two-dimensional materials has been steadily studied since the discovery of graphene. Herein, this paper reports a van der Waals heterojunction -based field-effect transistor device based on monolayer single crystalline MoSe2 grown by atmospheric pressure chemical vapor deposition. We found that MoSe2 grown under optimized process conditions did not have atomic-level defects and the transistor devices incorporating MoSe2 also showed excellent characteristics.
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