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논문KCI 등재

고감도 이미지 센서용 실리콘 나노와이어 MOSFET 광 검출기의 제작

Fabrication of silicon nano-wire MOSFET photodetectorfor high-sensitivity image sensor

김훈|박재현|서상호|신장규|신영식|도미영
한국센서학회|2006.01|센서학회지 (Journal of Sensor Science and Technology)|제15권 제1호|pp. 1-6

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Abstract

We fabricated Si nano-wire MOSFET by using the conventional photolithography with a 1.5m resolution. Si nano-wire was fabricated by using reactive ion etching (RIE), anisotropic wet etching and thermal oxidation on a silicon-on-insulator (SOI) substrate, and its width is 30nm. Logarithmic circuit consisting of a NMOSFET and Si nano-wire MOSFET has been constructed for application to high-sensitivity image sensor. Its sensitivity was 1.12mV/lux. The output voltage swing was 1.386 V.

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