V2O5가 첨가된 반도체 산화물의 특성개선연구
A Study on the Characteristics of Semiconductor Oxides with V2O5
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초록
염료감응형 태양전지에서 반도체 산화물은 전자의 생성과 이동에 중요한 역할을 하므로 이에 관한 광범위한 연구가 지속적으로 수행되고 있다. 본 연구에서는 V2O5를 첨가시킨 반도체 산화물을 제작하여 염료 감응 태양 전지의 특성을 연구하였다. V2O5가 첨가된 TiO2 페이스트는 졸 겔 공정의 스크린 인쇄 법으로 제조하였고, 이에 따른 표면특성 및 전기적 특성을 측정하였다. V2O5가 첨가됨에 따라 결정립 크기가 증가하였고 염료감응태양전지의 개방 회로 전압, 단락 전류, 충전 계수 및변환 효율 특성이 개선됨을 확인할 수 있었다.
Abstract
In the dye-sensitized solar cell, the semiconductor oxide plays an important role in the generation and transport ofelectrons, and thus extensive research on this has been continuously carried out. In this study, the characteristics ofdye-sensitized solar cell are studied by fabricating semiconductor oxide doped with V2O5. The TiO2 paste with V2O5 isprepared by the screen printing method of the sol - gel process and the surface and electrical properties are measured. The addition of V2O5 increased grain size and improved the open circuit voltage, short circuit current, charge factor andconversion efficiency of the dye sensitized solar cell.
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