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Hot-wall epitaxy 법에 의한 CdTe 박막의 성장과 특성
Hot-wall epitaxial growth and characteristic of CdTe films
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주제분류재료공학
초록
Hot-wall epitaxy법으로 GaAs 기판 위에 성장시킨 CdTe 박막은 (111) 면의 단결정 박막으로 성장되었음을 XRD 측정으로부터 확인하였으며, 박막 성장률은 SEM 측정 사진으로부터 30 Å/s임을 알았다. PL 측정으로 얻은 최적성장조건 은 원료물질 온도 500oC, 기판 온도 320oC이었다.
Abstract
CdTe thin films were grown on GaAs (100) substrates by hot wall epitaxy method. From the XRD measurements, it was found that CdTe/GaAs (100) film was grown as a single crystals with the different from growth plane of (111), and growth rate of CdTe thin films was found to be 30 ?sec by SEM. To acquire a high quality CdTe thin film, the optimum temperature for the source and substrate are found to be 500oC and 320oC, respectively, which was checked by PL.
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