1200V급 SiC 기반 트렌치 게이트 MOSFET의전기적 특성에 관한 연구
The Electrical Characteristics of 1200V Trench Gate MOSFET Based on SiC
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초록
본 연구에서는 SiC 기반의 1200V급 전력 MOSFET을 최적 설계하기 위하여 공정 및 설계 파라미터를 변화시키면서 실험을 수행한 후, 필수적인 전기적 특성을 도출하였다. 그리고 최종적으로 설계하고자 하는 트렌치 게이트형 SiC 전력 MOSFET 소자의 우수성을 확보하기 위하여 플래너 게이트 SiC 전력 MOSFET을 같은 조건하에 설계하여 전기적인 특성을 도출하여 트렌치 게이트형SiC 전력 MOSFET 소자와 비교 분석을 하였다. 비교 분석한 결과, 항복전압을 그대로 유지한 상태에서 온 저항은 각각 플래너게이트 전력 MOSFET은 1,840mΩ, 트렌치 게이트 전력 MOSFET는 40mΩ으로 약 40배 이상 우수한 특성을 도출하였다. 온 저항은에너지 효율에 직접적인 영향을 끼치는 바 에너지 효율에 있어 우수한 결과를 도출한 것으로 판단되었다. 본 실험을 통해 최적화된소자는 1200V급에 일반적으로 사용되었던 IGBT소자를 충분히 대체 가능한 것으로 판단되었다.
Abstract
This research was carried out experiments with changing processes and design parameters to optimally designa SiC-based 1200V power MOSFET, and then, essential electrical characteristics were derived. In order to securethe excellence of the trench gate type SiC power MOSFET device to be designed, electrical characteristics werederived by designing it under conditions such as planner gate SiC power MOSFET, and it was compared with thetrench gate type SiC power MOSFET device. As a result of the comparative analysis, the on-resistance whilemaintaining the yield voltage was 1,840mΩ, for planner gate power MOSFET and to 40mΩ for trench gate powerMOSFET, respectively, indicating characteristics more than 40 times better. It was judged that excellent resultswere derived because the temperature resistance directly affects energy efficiency. It is predicted that the devicesoptimized through this experiment can sufficiently replace the IGBT devices generally used in 1200V class, andthat since the SiC devices are wide band gap devices, they will be widely used to apply semiconductors forvehicles using devices with excellent thermal characteristics.
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