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근적외선 분광법을 이용한 고순도 SiCl4 중의 미량 불순물 SiHCl3의 분석
Analysis of Trace Trichlorosilane in High Purity Silicon Tetrachloride by Near-IR Spectroscopy
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주제분류화학
초록
Abstract
The content of SiHCl3 as a trace impurity in SiCl4 was analyzed by Near IR spectrophotometer with optical fiber. The strong absorption bands of 5345 ∼ 5116 cm-1 and 4848 ∼ 4349 cm-1 were used for analysis of SiHCl3, and the detection limit of impurity SiHCl3 was appeared to be 0.005 ％ in the spectrum. The quantitative analysis by Near IR spectrophotometry showed the analytical possibility of trace impurity in SiCl4 without sample pre-treatment not only in the laboratory but also in the field.
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