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Borate 완충용액에서 아연의 부동화 피막의 생성 과정과 전기적 특성

Growth Kinetics and Electronic Properties of Passive Film of Zinc in Borate Buffer Solution

김연규|정세진
대한화학회|2012.02|대한화학회지 (Journal of the Korean Chemical Society)|제56권 제1호|pp. 47-53

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Semiconductor반도체아연ZincCorrosion부식Passivation부동화Mott-SchottkyMott-schottky
주제분류화학

초록

Borate 완충용액에서 Zn의 부동화 피막이 생성되는 과정과 부동화 피막의 전기적 특성을 조사하였다. 이 때 생성되는 산화피막은 Mott-Schottky 식이 적용되는 n-형 반도체 성질을 보였으며, ZnO와 Zn(OH)2로 구성되어 두 종류의 주개(깊은주개와 얕은 주개)가 존재함을 알 수 있었다.

Abstract

We have investigated the growth kinetics and electronic properties of passive film of zinc in borate buffer solution. The oxide film formed in passivation process of zinc has showed the electronic properties of n-type semiconductor based on the Mott-Schottky equation. And it was found out that the oxide film consisted ZnO and $Zn(OH)_2$ was composed of deep and shallow donors.

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