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ALD법을 이용해 증착된 TaN 박막이 Cu 확산방지 특성
Characteristics of TaN by Atomic layer Deposition as a Copper Diffusion Barrier
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Abstract
For a diffusion barrier against Copper, tantalum nitride films have been deposited on SiO2 by atomic layer deposition(ALD), using PEMAT(Pentakis(ethylmethylamino)tantalum) and NH3 as precursors, Ar as purging gas. The depositionrate of TaN at substrate temperature 250oC was about 0.67 per one cycle. The stability of TaN films as a Cu difsionbarrier was tested by thermal annealing for 30 minutes in N2 ambient and characterized through XRD, sheet resistance,and C-V measurement(Cu(1000 )/TaN(50 )/SiO2(2000 )/Si capacitor fabricated), which prove the TaN film maintainsthe barrier properties Cu below 400oC.
참고문헌 (2)
- Vee S. C. Len, "An investigation into the performance of diffusion barrier materials against copper diffusion using metaloxide-semiconductor(MOS) capacitor structures", 43, pp.1045~1049 (1999)
- M. Y. Kwak, "Characteristics of WN diffusion barrier layer for copper mentalization", 174, pp.5~ (1999)
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