ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al 구조의 고분자 유기 발광다이오드의 특성 연구
The Properties of Polymer Light Emitting Diodes with ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al Structure
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초록
ITO(indium tin oxide)/Glass 기판위에 정공 수송층으로 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]과 발광층으로 MEH-PPV[poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4phenylenvinylene)]의 고분자를 사용하여 ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al 구조를 갖는 고분자 유기 발광다이오드 (polymer light emitting diode: PLED)를 제작하였다. 고분자 유기 발광다이오드 제작시 MEH-PPV의 농도(0.1 wt% ~ 0.9 wt%)가 발광층 표면 거칠기와 박막층간의 마찰계수(friction coefficient)에 미치는 영향을 조사하였다. MEH-PPV의 농도를 0.1 wt%에서 0.9 wt%로 증가함에 따라 발광층의 RMS 값은 1.72 nm 에서 1.00 nm로 감소하여 거칠기가 개선되는 경향을 보여 주었다. 또한 발광층 박막의 마찰계수는 0.048 에서 0.035로 감소하여 박막의 접합상태가 나빠지는 현상을 나타내었다. 0.5 wt%의 농도를 갖는 PLED 다이오드에서 최대 휘도인 409 cd/m2 값을 얻었다.
Abstract
The polymer light emitting diodes (PLED) with ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al structure were prepared on ITO(indium tin oxide)/Glass substrates using PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedi-oxythiophene):poly(styrene sulfolnate)] as the hole transport material and MEH-PPV[poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4phenylenvinylene)] as emission material layer. The dependences on the surface roughness and friction coefficient between film layers were investigated as a function of the MEH-PPV concentrations(0.1 wt%~0.9 wt%). The RMS values decreased from 1.72 nm to 1.00 nm as the concentration of MEH-PPV increased from 0.1 wt% to 0.9 wt%, indicating improvement of surface roughness. In addition, friction coefficients decreased from 0.048 to 0.035, which means the deteriorating of the adhesion condition. The PLED sample with 0.5 wt% of MEH-PPV showed the maximum luminance of 409 cd/m2.
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