낮은 순방향 전압 강하와 높은 래치-업 특성을 갖는 이중-에미터 구조의 LIGBT에 관한 분석
Analysis of the dual-emitter LIGBT with low forward voltage loss and high lacth-up characteristics
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초록
본 논문에서는 기존 LIGBT의 컬렉터와 에미터 사이에 추가적으로 에미터를 형성한 이중-에미터 구조의 LIGBT를 제안한다. 이중-에미터 LIGBT 구조는 추가된 에미터에 의해 향상된 래치-업 전류밀도, 순방향 전압강하와 빠른 턴-온 시간을 갖는다. 시뮬레이션 결과 이중-에미터 LIGBT 구조는 기존 LIGBT 구조보다 향상된 순방향 전압 강하(1.05V), 높은 래치-업 전류(), 빠른 턴-온 시간(7.4us)을 가짐을 확인 한다.
Abstract
In this paper, we present a novel Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor(LIGBT) structure. The proposed structure has extra emitter between emitter and collector of the conventional structure. The added emitter can significantly improve latch-up current densities, forward voltage drop (Vce,sat) and turn-off characteristics. From the simulation results, the proposed LIGBT has the lower forward voltage drop(1.05V), the higher latch-up current densities(), and the shorter turn-off time(7.4us) than those of the conventional LIGBT.
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