전력 반도체 응용을 위한 HVPE법에 의한 Ga2O3 에피성장에 관한 연구
Ga2O3 Epi Growth by HVPE for Application of Power Semiconductors
0
조회
0
다운로드
2
인용
0
참고문헌
키워드
초록
본 논문에서는 최근 전력반도체 산업에서 활용되어지는 와이드밴드갭 반도체 중에 하나인 Ga2O3를 이용한 에피웨이퍼 성장에 관련되어 서술하였다. GaN 성장시 활용되어지는 HVPE법을 이용하여 Sn이 도핑된 Ga2O3 기판웨이퍼에 평균 5.3㎛ 두께로 성장시켰다. 일반적으로 화합물반도체의 에피 두께가 5㎛일 경우 SiC의 경우 600V 전력반도체 소자를 제작할 수 있으며, Ga2O3 에피웨이퍼의 경우에는 1000V이상의 전력소자를 제작할 수 있다. 성장된 에피웨이퍼의 J-V 측정 결과 2.9-7.7mΩ·cm2의 온저항을 얻을 수 있었으며, 역방향의 경우 상당히 높은 전압에서도 누설전류가 거의 없음을 알 수 있었다.
Abstract
This research was worked about Ga2O3 Epi wafer that was one of the mose wide band gap semiconductors to be used power semiconductor industry. This wafer was grown 5.3㎛ thickness on Sn doped Ga2O3 Substrate by HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy). Generally, we can fabricate 600V class power semiconductor devices when the thickness of compoound power semiconductor is 5㎛. but in case of Ga2O3 Epi wafer, we can obtain over 1000V class. As a result of J-V measurment of the grown Ga2O3 Epi wafer, we obtain 2.9-7.7mΩ·cm2 on resistance. Specially, in case of reverse, we comfirmed a little leakage current when the reverse voltage is over 200V
참고문헌 (6)
- Takeyoshi Onuma, "Valence band ordering in β-Ga 2 O 3 studied by polarized transmittance and reflectance spectroscopy", Japanese Journal of Applied Physics, 54(11), pp.112601~ (2015), Japan Society of Applied Physics[DOI]
- Kohei Sasaki, "$\hbox{Ga}_{2} \hbox{O}_{3}$ Schottky Barrier Diodes Fabricated by Using Single-Crystal $\beta$– $\hbox{Ga}_{2} \hbox{O}_{3}$ (010) Substrates", IEEE Electron Device Letters, 34(4), pp.493~495 (2013), Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)[DOI]
- M. Higashiwaki, "Ga2O3 Schottky barrier diodes with n−-Ga2O3 drift layers grown by HVPE", Proc. 73rd IEEE Device Res. Conf., pp.29~30 (2015)
- Masataka Higashiwaki, "Gallium oxide (Ga 2 O 3 ) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga 2 O 3 (010) substrates", Applied Physics Letters, 100(1), pp.013504~ (2012), AIP Publishing[DOI]
- Kohei Sasaki, "Si-Ion Implantation Doping in β-Ga 2 O 3 and Its Application to Fabrication of Low-Resistance Ohmic Contacts", Applied Physics Express, 6(8), pp.086502~ (2013), Japan Society of Applied Physics[DOI]
- Masataka Higashiwaki, "Depletion-mode Ga 2 O 3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga 2 O 3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics", Applied Physics Letters, 103(12), pp.123511~ (2013), AIP Publishing[DOI]