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원자막증착법(ALD) SnO2 촉매를 적용한AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터 NO2 가스센서
NO2 gas sensor using an AlGaN/GaN Heterostructure FET with SnO2 catalyst deposited by ALD technique
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주제분류전자/정보통신공학
초록
본 연구에서는, 원자막증착법(ALD) 공정으로 증착된 SnO2 촉매를 AlGaN/GaN 이종접합 FET에 적용하여 NO2 가스 검출이 가능한 것을 확인하였다. AlGaN/GaN-on-si 플랫폼에서 제작 된 HFET 센서로 NO2 100 ppm 에 대하여 In-situ SiN이있는 소자와 없는 소자가 각각 100 ℃, 200 ℃에서 10.1 % 및 17.7 %, 5.5 % 및 38 % 의 감지성능을 확인하였다.
Abstract
In this work, it was confirmed that a SnO2 catalyst deposited by an atomic layer deposition(ALD) process can beemployed in AlGaN/GaN heterostructure FET to detect NO2 gas. The fabricated HFET sensors on AlGaN/GaN-on-Siplatform demonstrated that the devices with or without n-situ SiN have sensitivity of 5.5 % and 38 % at 200 ℃,respectively with response to 100 ppm-NO2.
참고문헌 (7)
- S. -T. Hung, "SnO2-gated AlGaN", GaN high electron mobility transistors based oxygen sensors, 2012, pp.30, 041214~
- H. -S. Jeong, "Highly sensitive and selective room-temperature NO2 gas-sensing characteristics of SnOx-based p-type thin-film transistor", Sensors and Actuators B: Chemical, 288, pp.625~633 (2019)[DOI]
- U. K. Mishra, "AlGaN", GaN HEMTs-An Overview of Device Operation and Applications, 2002, pp.90(6), 1022~1031
- S. -T. Hung, "SnO2functionalized AlGaN", GaN high electron mobility transistor for hydrogen sensing applications, 2012, pp.37(18), 13783~13788
- B. Yuliarto, "SnO2 Nanostructure as Pollutant Gas Sensors:Synthesis, Sensing Performances, and Mechanism", Advances in Materials Science and Engineering, 2015, pp.1~14 (2015)[DOI]
- Y. Halfaya, "Investigation of the Performance of HEMT-Based NO, NO2 and NH3 Exhaust Gas Sensors for Automotive Antipollution Systems", Sensors, 16(3), pp.273~ (2016)[DOI]
- J. -H. Choi, "Investigation of Stability and Power Consumption of an AlGaN", GaN Heterostructure Hydrogen Gas Sensor Using Different Bias Conditions, 2019, pp.19(24), 5549~
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