침전법을 이용한 Ga2O3 분말의 합성
Synthesis of Ga2O3 powders by precipitation method
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초록
본 연구에서는 InGaZnO 반도체를 제조하기 위하여 출발물질로 사용되는 Ga2O3분말을 침전법을 이용하여 합성하였다. 침전법의 공정 변수인 출발물질로 사용된 Ga(NO3)3의 농도와 aging 시간 및 온도를 제어하여 Ga2O3 분말을 합성하고 그 물성을 분석하였다. TG-DSC 분석을 통하여 Ga(OH)3의 산화온도 및 Ga2O3의 상전이 온도를 확인하였고, XRD 분석을 통해 Ga2O3의 결정구조와 결정성의 변화를 확인하였다. 또한 SEM 관찰을 통해 Ga2O3분말의 미세 구조와 평균 입도 및입도 분포를 분석하였다.
Abstract
In this study, we investigated synthesis and characteristics of gallium oxide (Ga2O3) powders prepared byprecipitation method. Ga2O3 powders were synthesized using Ga(NO3)3 as a starting material and NH4OH as a precipitant. The oxidation temperature of Ga(OH)3 and phase transition temperature of Ga2O3 was revealed using TG-DSC analysis. The crystal structural change of Ga2O3 powders was investigated by XRD analysis. The morphologies and size distributionsof Ga2O3 particles were analyzed using SEM.
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